恭喜上海华力集成电路制造有限公司陈科成获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利保护半导体器件沟道的器件制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111175357.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权保护半导体器件沟道的器件制作方法是由陈科成;姜兰;归琰设计研发完成，并于2021-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本保护半导体器件沟道的器件制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种保护半导体器件沟道的器件制作方法，包括以下步骤：步骤S1:提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶硅层的FD‑SOI衬底，在所述顶硅层表面生长一吸氧牺牲层；步骤S2:在S1所述的吸氧牺牲层上进行局部锗氧化浓缩工艺以制备具有SGOI沟道的SOI衬底；步骤S3:依次去除S2所获得衬底的SOI沟道最上方氮化硅层，以及SOI和SGOI沟道上方的氧化层；步骤S4:对S3所获得SOI和SGOI复合结构表面沟道进行常温氧化处理，形成氧化层；步骤S5:去除S4所形成的氧化层。本发明解决了由“鸟嘴”所造成的缺陷，有利于后续工艺的顺利实施，达到保护SOISGOI复合结构器件沟道的目的。
本发明授权保护半导体器件沟道的器件制作方法在权利要求书中公布了：1.一种保护半导体器件沟道的器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1:提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶硅层的FD-SOI衬底，在所述顶硅层表面生长一吸氧牺牲层；步骤S2:在S1所述的吸氧牺牲层上进行局部锗氧化浓缩工艺以制备具有SGOI沟道的SOI衬底；步骤S3:依次去除S2所获得衬底的SOI沟道最上方氮化硅层，以及SOI和SGOI沟道上方的氧化层；步骤S4:对S3所获得SOI和SGOI复合结构表面沟道进行常温氧化处理，形成氧化层；步骤S5:去除S4所形成的氧化层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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