恭喜上海华力集成电路制造有限公司王盼盼获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种中压MOS管栅氧制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111150745.2，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种中压MOS管栅氧制造方法是由王盼盼设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中压MOS管栅氧制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种中压MOS管栅氧制造方法，衬底上设有中压MOS管有源区；中压MOS管有源区两侧的衬底上分别设有低压MOS管有源区和高压MOS管有源区；高压MOS管有源区上设有氧化层；在衬底上形成硬掩膜层覆盖低压MOS管有源区、中压MOS管有源区和高压MOS管有源区的所述氧化层；光刻并打开中压MOS管有源区；按照光刻打开的中压MOS管有源区的区域，刻蚀中压MOS管有源区形成沟槽；之后去除光刻后的光阻；在沟槽中形成栅氧层；栅氧层的厚度与沟槽的深度比值为0.54:1；之后去除硬掩膜层。本发明通过在中氧区形成沟槽，使得高温氧化后的栅氧区与周围区域的高度差接近于零，改善金属栅高度均匀性，提高金属栅的稳定性和提高产品良率。
本发明授权一种中压MOS管栅氧制造方法在权利要求书中公布了：1.一种中压MOS管栅氧制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤一、提供衬底，所述衬底上设有中压MOS管有源区；所述中压MOS管有源区两侧的所述衬底上分别设有低压MOS管有源区和高压MOS管有源区；所述高压MOS管有源区上设有氧化层；在所述衬底上形成硬掩膜层覆盖所述低压MOS管有源区、中压MOS管有源区和高压MOS管有源区的所述氧化层；步骤二、光刻并打开所述中压MOS管有源区；步骤三、按照光刻打开的所述中压MOS管有源区的区域，刻蚀所述中压MOS管有源区形成沟槽；之后去除光刻后的光阻；步骤四、在所述沟槽中形成栅氧层；所述栅氧层的厚度与所述沟槽的深度比值为0.54:1；之后去除所述硬掩膜层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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