恭喜粤芯半导体技术股份有限公司郭伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利硅通孔结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903719B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111143622.6，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权硅通孔结构及其形成方法是由郭伟;曹秉霞;屠潇设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅通孔结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅通孔结构及其形成方法，其中硅通孔结构包括：衬底，衬底具有相对设置的正面和背面；位于衬底内的有源区，有源区靠近正面设置；位于衬底内的硅通孔，硅通孔贯通正面和背面，同时，硅通孔还贯通有源区；位于硅通孔和有源区之间的金属硅化物。本发明硅通孔和有源区之间具有金属硅化物，因此，衬底上的其他器件可以通过硅通孔和有源区连通，同时，还可以减少用于衬底上的其他器件和有源区连通的连接件，从而减少了硅通孔所在的芯片的面积。更进一步的，硅通孔形成在金属硅化物形成的孔洞内，相对于现有技术通过刻蚀形成的孔洞，金属硅化物的壁上没有毛刺，形成的硅通孔也没有毛刺，从而提高了硅通孔结构的质量。
本发明授权硅通孔结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种硅通孔结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相对设置的正面和背面；在所述衬底内形成有源区，所述有源区靠近所述衬底的正面设置，形成所述有源区之后的所述衬底的纵截面呈U型，所述有源区位于U型内；在所述衬底内形成第一孔洞，所述第一孔洞靠近所述衬底的正面设置，所述第一孔洞穿过所述有源区；在所述第一孔洞的底壁和侧壁上通过生长金属层以及对所述金属层进行高温工艺，以形成金属硅化物，同时，所述金属硅化物形成第二孔洞，所述金属硅化物的壁上无毛刺；在所述第二孔洞内形成硅通孔；以及研磨所述衬底的背面，以露出所述硅通孔。
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