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龙图腾网恭喜重庆邮电大学申请的专利一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111139200.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件是由陈伟中;周铸;秦海峰设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。

本发明授权一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，该器件包括：源极P+区（1）、源极N+区（2）、P-body（3）、漂移区（6）、漏极N+区（7）、漏极N-buffer区（8）、漏极P+区（9）、P型辅助耗尽区（10）、槽栅P+接触区（11）和二氧化硅隔离层（12）；其中，所述源极P+区（1）、源极N+区（2）、P-body（3）、漂移区（6）、漏极N-buffer区（8）和漏极N+区（7）从左至右依次排列组成LDMOS导电区；所述槽栅P+接触区（11）、P型辅助耗尽区（10）、漏极N-buffer区（8）、漏极N+区（7）和漏极P+区（9）从左至右依次排列组成双侧面超结槽栅区；所述二氧化硅隔离层（12）用于分离双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区，LDMOS导电区位于二氧化硅隔离层（12）内侧，双侧面超结槽栅区位于二氧化硅隔离层（12）外侧。

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