恭喜爱思开海力士有限公司文范浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利具有低K间隔件的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110959224.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有低K间隔件的半导体器件是由文范浩;金银贞;朴钟国;李承美;崔支远;金炅倬;池连赫设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有低K间隔件的半导体器件在说明书摘要公布了：提供一种具有低k间隔件的半导体器件。半导体器件包括：位线结构，其包括依次层叠在衬底上的位线接触插塞、位线和位线硬掩模；储存节点接触插塞，其与位线结构间隔开；共形间隔件，其位于位线与储存节点接触插塞之间并且包括低k材料；以及晶种内衬，其位于共形间隔件与位线之间并且比共形间隔件薄。
本发明授权具有低K间隔件的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：位线结构，其包括依次层叠在衬底上的位线接触插塞、位线和位线硬掩模；储存节点接触插塞，其与所述位线结构间隔开；共形间隔件，其位于所述位线与所述储存节点接触插塞之间并且包括低k材料；晶种内衬，其位于所述共形间隔件与所述位线之间；间隙填充间隔件，其位于所述位线接触插塞与所述储存节点接触插塞之间，其中，所述晶种内衬和所述共形间隔件覆盖所述间隙填充间隔件的侧壁，其中，所述晶种内衬比所述共形间隔件薄。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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