恭喜格芯新加坡私人有限公司章纬获国家专利权
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龙图腾网恭喜格芯新加坡私人有限公司申请的专利存储器器件、存储器阵列及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114079007B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110942687.0，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权存储器器件、存储器阵列及其形成方法是由章纬;卓荣发;陈元文;陈学深设计研发完成，并于2021-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件、存储器阵列及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储器器件、存储器阵列及其形成方法。可以提供一种存储器器件。该存储器器件可以包括衬底，其中衬底包括具有第一导电类型的阱。该存储器器件还可以包括：接触元件，其布置在阱中并且包括具有第一导电类型的第一接触；二极管层，其布置在阱中并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型；以及虚设栅极，其被配置为将第一接触与二极管层隔离。该存储器器件还可以包括电连接到二极管层的存储器元件。
本发明授权存储器器件、存储器阵列及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括：衬底，其中所述衬底包括具有第一导电类型的阱；接触元件，其布置在所述阱中，其中所述接触元件包括具有所述第一导电类型的第一接触；二极管层，其布置在所述阱中，其中所述二极管层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；虚设栅极，其被配置为将所述第一接触与所述二极管层隔离；以及存储器元件，其电连接到所述二极管层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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