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龙图腾网恭喜浙江里阳半导体有限公司申请的专利低压放电管芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113823560B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110917051.0，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权低压放电管芯片的制造方法是由李晓锋;张潘德设计研发完成，并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本低压放电管芯片的制造方法在说明书摘要公布了：一种低压放电管芯片的制造方法，由于在形成阳极层之前形成了阳极埋层，所述阳极埋层位于所述衬底层的部分表面，且是向所述阳极埋层区域的位置处注入深度为第一厚度的第二导电类型的杂质离子，进一步再形成阳极层、阴极层以及隔离层，由于放电管芯片是PNPN结构，形成过程中一直在不断的进行浓度迭加，因此衬底层的掺杂浓度相对最淡，阻抗最高，本发明中在衬底内部设置阳极埋层可以使N型的衬底层中阻抗大的长度减小，也就是说减小了阻抗高的那部分的总长度，使得放电管芯片的阻抗降低，进而使其导通压降降低，提高了低压放电管芯片的性能。

本发明授权低压放电管芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低压放电管芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底层，所述衬底层具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，在所述衬底层的第一表面形成器件层，所述器件层的形成步骤包括：定义出阳极埋层区域，所述阳极埋层区域位于所述衬底层的部分表面，向所述阳极埋层区域的位置处注入深度为第一厚度的第二导电类型的杂质离子，以形成阳极埋层；所述阳极埋层区域在所述衬底层的一周均匀分布；向所述衬底层的第一表面注入深度为第二厚度的第二导电类型的杂质离子，以形成阳极层，第二厚度小于第一厚度；在所述阳极层上定义出阴极区域，并向所述阴极区域的位置处注入第一导电类型的杂质离子，以形成阴极层，所述阴极层的厚度小于所述阳极层的厚度；定义出隔离区，对所述隔离区进行刻蚀工艺，形成隔离层，并在所述隔离层内覆盖钝化材料；在所述阳极层的上表面形成电极层；还包括，在形成所述阳极层之前，还包括步骤：定义出重掺杂区域，向所述重掺杂区域的位置处注入第一导电类型的杂质离子，以形成重掺杂层，所述重掺杂层的注入深度大于所述阳极层的厚度；其中，在形成所述阳极层中，对除过所述重掺杂区域的区域进行第二导电类型的杂质离子的注入以形成所述阳极层。

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