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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利一种多通道超结IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113782586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110911954.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种多通道超结IGBT器件是由吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多通道超结IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种多通道超结IGBT器件，包括金属化集电极、P‑衬底、位于P‑衬底上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外延层上方的第二N外延层；所述第二N外延层中至少包括第一虚拟MOS元胞单元与MOS元胞单元，所述第一虚拟MOS元胞单元包括通过反应离子刻蚀形成的沟槽、在所述沟槽内部设置的热生长的栅氧化层及位于栅氧化层内的淀积的重掺杂多晶硅。本发明公开的器件结构打破传统超结IGBT器件PN柱节距的元胞尺寸限制，可根据器件的应用要求增减顶层MOS元胞和虚拟MOS元胞以调节超结IGBT器件的栅输入电容，防止器件开启时的电流震荡，提高器件抗EMI能力。同时还具有调节饱和输出电流密度、正向导通压降、短路时间耐量的特点。

本发明授权一种多通道超结IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种多通道超结IGBT器件，其特征在于，包括金属化集电极（1）、P-衬底（2）、位于P-衬底（2）上方的第一N型外延层（3）及位于所述第一N型外延层（3）上方的第二N外延层（5）；所述第一N型外延层（3）中通过多次外延注入或者深槽刻蚀回填工艺形成P柱（4），所述第二N外延层（5）中至少包括两个第一虚拟MOS元胞单元（51）与MOS元胞单元（50），其中所述第一虚拟MOS元胞单元（51）与MOS元胞单元（50）的结构相同，所述第一虚拟MOS元胞单元（51）包括通过反应离子刻蚀形成的沟槽（6）、在所述沟槽（6）内部设置的热生长的栅氧化层（7）及位于栅氧化层（7）内的淀积的重掺杂多晶硅（8），自对准工艺形成的P型体区（9）、位于所述P型体区（9）上方的淀积的硼磷硅玻璃（11）及位于所述硼磷硅玻璃（11）上方的上表面金属化的发射极（12）；所述第二N外延层（5）中包括第二虚拟MOS元胞单元（52），所述第二虚拟MOS元胞单元（52）、第一虚拟MOS元胞单元（51）与MOS元胞单元（50）结构相同，所述第二虚拟MOS元胞单元（52）的P型体区（9）中没有接发射极（12）的电位；所述MOS元胞单元（50）的P型体区（9）中设置有多个相互独立的源区（10）；所述第二N外延层（5）的电阻率大于第一N型外延层（3），且第二N外延层（5）的电阻率范围为4-40Ω•cm；第二N外延层（5）的厚度范围是4-40µm。

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