恭喜北京华脑技术发展有限公司唐延智获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京华脑技术发展有限公司申请的专利一种脑电安全帽帽衬获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113508951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110890983.0,技术领域涉及:A61B5/369;该发明授权一种脑电安全帽帽衬是由唐延智;赵建军设计研发完成,并于2021-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种脑电安全帽帽衬在说明书摘要公布了:本发明提供了一种脑电安全帽帽衬,包括帽衬本体和具有弹性的凸台,所述凸台上固定设置有用于接触人体的脑电电极,所述凸台通过弹性配件或者充气气囊固定在帽衬本体上;所述凸台包括凹槽部和支撑壁,所述凹槽部用于固定安装脑电电极,所述支撑壁的内部为中空结构,一端用于连接凹槽部,另一端固定安装在弹性配件或者充气气囊上。所述脑电安全帽帽衬通过弹性配件或充气气囊的设置,可在保证佩戴者舒适性的同时,又有恢复弹性,有效避免帽衬和额头之间产生微小的间隙,不影响脑电的采集和分析。
本发明授权一种脑电安全帽帽衬在权利要求书中公布了:1.一种脑电安全帽帽衬,其特征在于:包括帽衬本体和具有弹性的凸台,所述凸台上固定设置有用于接触人体的脑电电极,所述凸台通过充气气囊固定在帽衬本体上;所述凸台包括凹槽部和支撑壁,所述凹槽部用于固定安装脑电电极,所述支撑壁的内部为中空结构,一端用于连接凹槽部,另一端固定安装在充气气囊上;所述充气气囊包括“U”型结构的第一气囊,以及位于第一气囊内部的第二气囊,所述第一气囊的顶层设置有开孔,用于穿过凸台上的脑电电极,所述凸台固定安装在第二气囊上,所述脑电电极连接到第二气囊上设置的FPC线,所述脑电电极直接固定在第二气囊上,与第二气囊上设置的FPC线相连接;所述凸台设置有高度调整装置,所述高度调整装置位于凹槽部和支撑壁之间,或者凹槽部和脑电电极之间,或者支撑壁的末端。
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