杰华特微电子股份有限公司胡涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杰华特微电子股份有限公司申请的专利一种静电防护器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110867910.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种静电防护器件及其制作方法是由胡涛设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种静电防护器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种静电防护器件及其制作方法，该静电防护器件包括衬底；漂移区，形成于所述衬底上；阱区，形成于所述漂移区上；第一体区和第二体区，分别设于所述阱区的两侧，且所述阱区与所述第一体区的距离小于所述阱区与所述第二体区的距离；其中所述第一体区中仅具有第一重掺区，所述第二体区中设有第二重掺区和第三重掺区，所述阱区中仅设有第四重掺区。本发明将传统的LDMOS‑SCR器件漏端一侧仅保留寄生PNP三极管，另一侧保留寄生SCR，同时设计相关尺寸使得PNP先于SCR触发，使静电防护器件能够在有效静电防护的同时，避免在发生电压过冲或者电压尖峰毛刺时误触发寄生SCR，导致深回滞到很低的维持电压引起闩锁现象。
本发明授权一种静电防护器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种静电防护器件，其特征在于：包括衬底；具有第一导电类型的漂移区，形成于所述衬底上；具有第一导电类型的阱区，形成于所述漂移区上；第一体区和第二体区，分别设于所述阱区的两侧，该第一体区和第二体区具有第二导电类型，且所述阱区与所述第一体区的距离小于所述阱区与所述第二体区的距离；其中，所述第一体区中仅形成具有第二导电类型的第一重掺区；所述第二体区中设有第一导电类型的第二重掺区和第二导电类型的第三重掺区；所述阱区中仅设有第二导电类型的第四重掺区；所述第四重掺区和所述第一重掺区之间构成第一寄生器件，所述第四重掺区和所述第二重掺区之间构成第二寄生器件，且所述第一寄生器件具有比所述第二寄生器件更小的击穿电压；所述第一寄生器件为三极管，所述第二寄生器件为可控硅整流器件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杰华特微电子股份有限公司，其通讯地址为：310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号