恭喜上海微起光电科技有限公司高艺佼获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海微起光电科技有限公司申请的专利一种基于双层光刻胶的光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115469511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110653553.7，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权一种基于双层光刻胶的光刻方法是由高艺佼设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双层光刻胶的光刻方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于双层光刻胶的光刻方法，该方法包括以下步骤：1在基底上涂抹一层正性光刻胶，并烘干；再在正性光刻胶上涂抹一层负性光刻胶，并烘干；2在曝光光源下，透过载有模板图案的光刻掩膜版或者通过聚焦光源直写，对两层光刻胶进行单次曝光，然后进行烘干；3用负胶显影液对负性光刻胶进行显影；4用正胶显影液对正性光刻胶进行可控显影；5通过材料沉积技术或者刻蚀技术，将轮廓线图案转移到基底材料上；6去除光刻胶。与现有单次曝光的光刻技术相比，本发明方法简单，通过图案轮廓化，实现比传统技术更高小的线宽，该方法可广泛应用于半导体工艺，并具有广泛研究和应用价值。
本发明授权一种基于双层光刻胶的光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双层光刻胶的光刻方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）在基底上旋涂一层正性光刻胶，并烘干；再在正性光刻胶上旋涂一层与正性光刻胶相匹配的负性光刻胶，并烘干；（2）在曝光光源下，透过载有模板图案的光刻掩膜版或者通过聚焦光源直写，对两层光刻胶进行单次曝光，曝光后，在负性光刻胶和正性光刻胶上分别形成大小不同的曝光图案，然后进行烘干；（3）用负胶显影液对负性光刻胶进行显影；（4）用正胶显影液对正性光刻胶进行可控显影，仅洗去正性光刻胶上曝光图案的边缘部分，并暴露基底材料，从而将模板图案转换成轮廓线型图案；（5）通过材料沉积技术或者刻蚀技术，将轮廓线图案转移到基底材料上；（6）去除光刻胶。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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