恭喜日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体基板结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113555337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110587168.7，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体基板结构及其形成方法是由黄文宏设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体基板结构及其形成方法。半导体基板结构包括：电容器，具有沿相同方向延伸的多个输入输出部件；线路层，位于多个输入输出部件的相对端上方，线路层中的线路与多个输入输出部件直接接触和电连接以形成导电路径。
本发明授权半导体基板结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板结构，其特征在于，包括：电容器，具有沿相同方向延伸的多个输入输出部件；线路层，位于所述多个输入输出部件的相对端上方，所述线路层中的线路与所述多个输入输出部件直接接触和电连接以形成导电路径，所述导电路径为电感器的电感线圈并以所述电容器为中心围绕，所述电容器为薄膜型电容器，所述电感线圈中的所述多个输入输出部件是所述电容器本身需要的穿过所述电容器的输入输出部件，在所述多个输入输出部件中，所述输入输出部件的上端处的所述线路层中的线路连接一个相邻的输入输出部件的上端，所述输入输出部件的下端处的所述线路层中的线路连接另一个相邻的输入输出部件的下端，从而使得所述导电路径构成所述电感线圈。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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