恭喜意法半导体(克洛尔2)公司D·迪塔特获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利具有钉扎光电二极管的集成光学传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725242B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110570140.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权具有钉扎光电二极管的集成光学传感器是由D·迪塔特设计研发完成，并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有钉扎光电二极管的集成光学传感器在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有钉扎光电二极管的集成光学传感器。集成光学传感器由钉扎光电二极管形成。半导体衬底包括具有第一导电类型的第一半导体区域，该第一半导体区域位于第二半导体区域与第三半导体区域之间，第二半导体区域具有与第一导电类型相对的第二导电类型，第三半导体区域具有第二导电类型。第三半导体区域与第二区域相比更厚、更少掺杂并且更深地位于衬底中。第三半导体区域包括硅和锗。在一个实现方式中，第三半导体区域内的锗具有至少一个浓度梯度。在另一实现方式中，第三半导体区域内的锗浓度是基本恒定的。
本发明授权具有钉扎光电二极管的集成光学传感器在权利要求书中公布了：1.一种集成光学传感器，包括钉扎光电二极管，所述集成光学传感器包括：半导体衬底，包括：第一半导体区域，具有第一导电类型；第二半导体区域，具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型；以及第三半导体区域，具有所述第二导电类型；其中所述第一半导体区域位于所述第二半导体区域与所述第三半导体区域之间；其中所述第三半导体区域与所述第二半导体区域相比更厚、更少掺杂并且更深地位于所述半导体衬底中；其中所述第三半导体区域包括硅和锗，其中所述锗具有第一浓度梯度；其中所述第三半导体区域由交替的硅层和硅锗层形成；以及其中所述第一浓度梯度是正梯度，其中在所述第三半导体区域中的锗的原子百分比从所述第三半导体区域的底部朝向所述第一半导体区域增加。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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