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龙图腾网恭喜北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377101B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110556076.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由任烨;卜伟海;武咏琴设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区；在第一器件区的基底上形成沟道结构，在第二器件区的基底上形成器件鳍部，沟道结构包括一个或多个沟道叠层，沟道叠层包括第一牺牲层和位于第一牺牲层上的沟道层，沿沟道结构或器件鳍部的延伸方向，沟道结构和器件鳍部均包括沟道区；去除沟道区的牺牲层；去除沟道区的牺牲层后，形成栅极结构，在第一器件区，栅极结构环绕覆盖沟道区的沟道层，在第二器件区，栅极结构横跨器件鳍部，并覆盖沟道区的器件鳍部的侧壁和顶部。本发明采用混合集成的方式，同时满足第一器件和第二器件的性能需求，有利于提高半导体结构的工作性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区；在所述第一器件区的基底上形成沟道结构，在所述第二器件区的基底上形成器件鳍部，所述沟道结构包括一个或多个沟道叠层，所述沟道叠层包括第一牺牲层和位于所述第一牺牲层上的沟道层，沿所述沟道结构或器件鳍部的延伸方向上，所述沟道结构和器件鳍部均包括沟道区；去除所述沟道区的第一牺牲层；去除所述沟道区的第一牺牲层后，形成栅极结构，在所述第一器件区中，所述栅极结构环绕覆盖所述沟道区的沟道层，在所述第二器件区中，所述栅极结构横跨所述器件鳍部，并覆盖所述沟道区的器件鳍部的侧壁和顶部；在所述第一器件区的基底上形成沟道结构，在所述第二器件区的基底上形成器件鳍部的步骤包括：在所述第一器件区的基底上形成沟道结构材料层，所述沟道结构材料层包括一个或多个沟道材料叠层，所述沟道材料叠层包括第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的沟道材料层；在所述第二器件区的基底上形成器件鳍部材料层；形成所述沟道结构材料层和器件鳍部材料层的步骤包括：在所述第一器件区或所述第二器件区的基底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层还覆盖所述第二器件区和第一器件区交界处的部分基底；在所述第一掩膜层露出的基底上形成第一材料层，其中，当所述第一掩膜层位于所述第二器件区时，所述第一材料层为所述沟道结构材料层，当所述第一掩膜层位于所述第一器件区时，所述第一材料层为所述器件鳍部材料层；形成覆盖所述第一材料层和第一掩膜层的第二掩膜层；去除所述第一材料层侧部的部分第二掩膜层和部分第一掩膜层，保留位于所述第二器件区和第一器件区交界处的剩余第一掩膜层、以及覆盖所述第一材料层顶部的剩余第二掩膜层作为第三掩膜层；在所述第三掩膜层露出的基底上形成第二材料层，且当所述第一材料层为所述沟道结构材料层时，所述第二材料层为所述器件鳍部材料层，当所述第一材料层为所述器件鳍部材料层时，所述第二材料层为所述沟道结构材料层。

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