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龙图腾网恭喜中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132734B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110317915.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构及其形成方法是由邹君玉;李志国;刘玉丽;隋振超;刘长宇设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，所形成的第一浮栅结构的厚度大于或等于所述第二浮栅结构与后续形成于所述第二浮栅结构上的栅介质层和位于所述栅介质层上的第一控制栅层的厚度之和，因而可以在后续以所述第一浮栅结构的顶部表面为停止位置，对所述第一控制栅材料层和所述栅介质材料层执行化学机械研磨工艺，暴露出所述第一浮栅结构的顶部表面，从而可以使得后续形成的第二控制栅材料层可以与所述第一浮栅结构接触，可以避免采用等离子体刻蚀工艺形成暴露出所述第一浮栅结构的开口的过程中，所述等离子刻蚀工艺所使用的等离子体离子渗透至所述第一浮栅结构对所述第一浮栅结构所造成的损害，故可以提高所形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括存储区和外围区；位于所述存储区上的多个分立的第二浮栅结构和位于所述外围区上的多个分立第一浮栅结构；所述第一浮栅结构的厚度大于或等于所述第二浮栅结构与后续形成于所述第二浮栅结构上的栅介质层及位于所述栅介质层上的第一控制栅层的厚度之和；位于所述第一浮栅结构的侧壁、所述第二浮栅结构的顶部和侧壁及所述第一浮栅结构和所述第二浮栅结构露出的衬底的栅介质层；所述衬底还包括隔离结构；所述栅介质层位于所述第一浮栅结构和所述第二浮栅结构露出的隔离结构上；所述外围区和存储区的隔离结构齐平，且所述栅介质层位于所述衬底的隔离结构上；位于所述栅介质层上第一控制栅层；位于所述第一控制栅层、所述栅介质层和所述第一浮栅结构上的第二控制栅材料层。

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