恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈信吉获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构和其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113327905B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110184824.9，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体装置结构和其形成方法是由陈信吉;黄薰瑩;李智铭;吴尚彦;杨智安;何弘伟;张朝钦;黄琮伟设计研发完成，并于2021-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构和其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置结构和其形成方法，其结构包括有一或多个装置形成于其上的基板、设置在基板上的一或多个接合垫，及设置在一或多个接合垫上的第一钝化层。第一钝化层包括具有第一介电材料的第一钝化子层、设置在第一钝化子层上的第二钝化子层，并且第二钝化子层具有不同于第一介电材料的第二介电材料。第一钝化层进一步包括设置在第二钝化子层上的第三钝化子层，并且第三钝化子层具有不同于第二介电材料的第三介电材料。第一、第二及第三钝化子层中的至少两者各自包括氮化物。
本发明授权半导体装置结构和其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：一基板，包括在该基板上形成的一或多个装置；一或多个接合垫，设置在该基板上；及一第一钝化层，设置在该一或多个接合垫上，其中该第一钝化层包括：一第一钝化子层，包括一第一介电材料，该第一钝化子层接触该一或多个接合垫；一第二钝化子层，设置在该第一钝化子层上，该第二钝化子层包括不同于该第一介电材料的一第二介电材料；及一第三钝化子层，设置在该第二钝化子层上，该第三钝化子层包括不同于该第二介电材料的一第三介电材料，其中该第二钝化子层及该第三钝化子层中的至少一者及该第一钝化子层各自包括具有大于-1E9达因平方厘米的压缩应力的一氮化物。
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