恭喜美光科技公司李继云获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利具有存取线控制的存储器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011239763.3，技术领域涉及：G11C11/4067；该发明授权具有存取线控制的存储器阵列是由李继云设计研发完成，并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有存取线控制的存储器阵列在说明书摘要公布了：本申请针对具有存取线控制的存储器阵列。一种示范性设备包含存储器单元阵列。每个存储器单元包含存取装置。每个存取装置包含第一源极漏极区域、第二源极漏极区域以及与连接所述第一源极漏极区域和所述第二源极漏极区域的沟道相对的栅极。每个存取装置还包含存储节点。所述示范性设备还包含多条感测线，所述多条感测线耦合到所述存储器单元阵列中的不同相应的存储器单元的所述第一源极漏极区域。所述示范性设备还包含多条存取线，其中每条存取线包含至少一个导电通路，所述至少一个导电通路形成于所述存取线与耦合到所述存取线的存取装置的源极漏极区域之间。所述示范性设备还包含分路感测线，所述分路感测线耦合到形成有所述导电通路的附加存取装置。
本发明授权具有存取线控制的存储器阵列在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括：存储器单元阵列，每个存储器单元包含：存取装置，其中所述存取装置包括第一源极漏极区域、第二源极漏极区域以及与连接所述第一源极漏极区域和所述第二源极漏极区域的沟道相对的栅极；以及存储节点；多条感测线，其各自耦合到所述存储器单元阵列中的不同相应的存储器单元的所述第一源极漏极区域；多条存取线，其中每条存取线包括至少一个导电通路，所述至少一个导电通路形成在所述存取线与耦合到所述存取线的附加存取装置的源极漏极区域之间，其中通过使所述存取线短路到所述附加存取装置而形成所述导电通路；以及分路感测线，所述分路感测线耦合到形成有所述导电通路的所述附加存取装置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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