买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011056507.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由李红芳;刘中元;江涛设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区域；在基底上形成伪栅结构；在相邻伪栅结构之间的基底上形成牺牲层，牺牲层的顶部表面与伪栅结构的顶部表面齐平；在第一区域的牺牲层上形成掩膜层，所述掩膜层在基底上具有第一投影，牺牲层在基底上具有第二投影，第一投影位于第二投影中，且第一投影的面积小于第二投影的面积；刻蚀去除掩膜层暴露出的牺牲层以及部分厚度的基底；去除掩膜层和剩余牺牲层；刻蚀相邻伪栅结构之间的基底，在第一区域形成第一沟槽；在第一沟槽中形成外延层。本发明实施例提供的形成方法，能够形成饱满的外延层，从而有利于提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成长沟道器件，所述第二区域用于形成短沟道器件；在所述基底上形成伪栅结构；在相邻所述伪栅结构之间的所述基底上形成牺牲层，所述牺牲层的顶部表面与所述伪栅结构的顶部表面齐平；在所述第一区域的所述牺牲层上形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述第一区域的所述牺牲层的中间区域，所述掩膜层在所述基底上具有第一投影，所述牺牲层在所述基底上具有第二投影，所述第一投影位于所述第二投影中，且所述第一投影的面积小于所述第二投影的面积；刻蚀去除所述掩膜层暴露出的所述牺牲层以及部分厚度的所述基底，使基底形成中间高周围低的形状；去除所述掩膜层和剩余所述牺牲层；刻蚀相邻所述伪栅结构之间的所述基底，在所述第一区域形成第一沟槽，在所述第二区域形成第二沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度；在所述第一沟槽中形成外延层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯南方集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。