恭喜世界先进积体电路股份有限公司周钰杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011051566.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构是由周钰杰;林琮翔设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括基板、半导体磊晶层、半导体阻障层、第一半导体元件、绝缘掺杂区、及至少一绝缘柱。基板包括基材和复合材料层，半导体磊晶层设置于基板上，半导体阻障层设置于半导体磊晶层上。第一半导体元件设置于基板上，其中第一半导体元件包括位于半导体阻障层上的第一半导体盖层。绝缘掺杂区位于第一半导体元件的一侧。至少部分的绝缘柱位于绝缘掺杂区内，绝缘柱围绕至少部分第一半导体元件且贯穿复合材料层。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板，包括一基材和一复合材料层；一半导体磊晶层，设置于所述基板上，所述复合材料层至少部分设置于所述基材与所述半导体磊晶层之间；一半导体阻障层，设置于所述半导体磊晶层上；一第一半导体元件，设置于所述基板上，其中所述第一半导体元件包括一第一半导体盖层，所述第一半导体盖层位于所述半导体阻障层上；一绝缘掺杂区，位于所述第一半导体元件的一侧；以及复数个绝缘柱，其中至少一个以上所述绝缘柱位于所述绝缘掺杂区内，所述复数个绝缘柱围绕至少部分所述第一半导体元件，且贯穿所述复合材料层，且所述复数个绝缘柱的宽度小于所述复数个绝缘柱间的间距。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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