恭喜欧司朗光电半导体有限公司费利克斯·费克斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜欧司朗光电半导体有限公司申请的专利用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114521295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080069301.3,技术领域涉及:H10H20/01;该发明授权用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片是由费利克斯·费克斯;伊内斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦设计研发完成,并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片在说明书摘要公布了:在一个实施方式中,方法用于制造光电子半导体芯片1并且包括:A在生长衬底2上沿着生长方向G生长AlInGaAsP半导体层序列3,其中半导体层序列3包括用于产生辐射的有源区33,并且有源区33由多个、彼此交替的量子阱层61和势垒层62组成;B产生结构化的掩模层5、34;C在至少一个混匀区域51中借助于将混匀辅助材料55穿过掩模层5、34的开口50施加到有源区33中来局部地混匀量子阱层61和势垒层62;并且D将半导体层序列3分割成用于半导体芯片1的子区域39,其中势垒层62在步骤A中由[AlxGa1‑xyIn1‑y]zP1‑z生长,其中x≥0.5。
本发明授权用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片在权利要求书中公布了:1.一种用于制造光电子半导体芯片1的方法,所述方法包括以给定的顺序的以下步骤:A在生长衬底2上沿着生长方向G生长AlInGaAsP半导体层序列3,其中所述半导体层序列3包括用于产生辐射的有源区33,并且所述有源区33由多个彼此交替的量子阱层61和势垒层62组成;B产生结构化的掩模层;C在至少一个混匀区域51中借助于将混匀辅助材料55穿过所述掩模层的开口50施加到所述有源区33中来局部地混匀所述量子阱层61和所述势垒层62;并且D将所述半导体层序列3分割成用于所述半导体芯片1的子区域39,其中所述势垒层62在步骤A中由[AlxGa1-xyIn1-y]zP1-z生长,其中x≥0.5,并且所述量子阱层61在步骤A中由[AlaGa1-abIn1-b]cP1-c生长,其中0<a≤0.2,其中0.47≤y≤0.53以及0.47≤z≤0.53,并且0.47≤b≤0.53以及0.47≤c≤0.53。
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