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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管的制造方法及一鳍式场效应晶体管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010992718.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权鳍式场效应晶体管的制造方法及一鳍式场效应晶体管结构是由翁文寅设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本鳍式场效应晶体管的制造方法及一鳍式场效应晶体管结构在说明书摘要公布了：本发明涉及鳍式场效应晶体管的制造方法，涉及半导体集成电路技术，通过在形成金属栅极结构的金属栅、栅介质层和功函数层之后，去除金属栅的超出鳍体区域的端部的一部分，由于功函数层已经形成，因此无需担心功函数层的形成窗口是否满足工艺需求，因此可去除较多的金属栅的端部区域，而可将最终形成的鳍式场效应晶体管器件的栅极与源极之间的寄生电容Cgs或栅极与漏极之间的寄生电容Cgd尽量减小，且能使工艺更加简单。

本发明授权鳍式场效应晶体管的制造方法及一鳍式场效应晶体管结构在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：S1：在半导体衬底上形成多个鳍体，各所述鳍体之间为浅沟槽，在所述浅沟槽中填充第一场氧，所述第一场氧的顶部表面低于所述鳍体的顶部表面使所述鳍体露出在所述第一场氧的顶部，以通过所述第一场氧将各所述鳍体的底部之间相互隔离；S2：形成多晶硅层，进行光刻刻蚀形成多条多晶硅栅，所述多晶硅栅与所述鳍体交叉，所述多晶硅栅与所述鳍体的交叠区域形成伪栅极结构；S3：在鳍体上形成源区和漏区，并源区和漏区位于多晶硅栅的两侧；S4：去除多晶硅栅，并形成栅介质层，栅介质层覆盖鳍体的表面及所述第一场氧的表面，并形成功函数层，功函数层覆盖栅介质层的表面；S5：形成金属栅，金属栅填充多晶硅栅的去除区域，金属栅与鳍体、栅介质层和功函数层形成鳍式场效应晶体管的金属栅极结构；S6：将所述金属栅的超出鳍体区域的端部的部分区域去除，以形成第一凹槽，并在第一凹槽内形成介质层，鳍体区域为一鳍式场效应晶体管的半导体衬底上分布有鳍体的区域；以及S7：形成第零层金属层，以将源区和漏区引出，金属栅极结构与位于其两侧的源区和漏区形成鳍式场效应晶体管。

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