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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010999928.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由李政宁;和阿雷;张海洋;崇二敏设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述衬底上形成伪栅介质层和初始伪栅层；去除部分所述初始伪栅层，形成伪栅层；采用一次或多次覆盖刻蚀处理去除所述伪栅层，直至完全暴露出所述伪栅介质层为止，所述覆盖刻蚀处理的方法包括：在暴露出的所述伪栅介质层表面形成保护层；采用干法刻蚀去除部分所述伪栅层。在每次进行干法刻蚀工艺去除部分所述伪栅层之前，在所述伪栅层暴露出的所述伪栅介质层表面形成保护层，通过所述保护层叠加在所述伪栅介质层上，使得干法刻蚀工艺的刻蚀气体不易同时渗透所述保护层和所述伪栅介质层与所述鳍部的表面接触，进而造成所述鳍部的损伤，有效的提升了最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部；在所述衬底上形成伪栅介质层和初始伪栅层，所述伪栅介质层覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面，所述初始伪栅层位于所述伪栅介质层上；采用第一刻蚀工艺去除部分所述初始伪栅层，形成伪栅层，所述伪栅层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且所述伪栅层暴露出部分所述伪栅介质层；采用一次或多次覆盖刻蚀处理去除所述伪栅层，直至完全暴露出所述伪栅介质层为止，所述覆盖刻蚀处理的方法包括：在暴露出的所述伪栅介质层表面形成保护层；采用干法刻蚀工艺去除部分所述伪栅层，使得所述伪栅层的顶部表面低于所述保护层的底部表面；其中，在每次形成所述保护层之前，在所述伪栅层的表面形成抑制层；在每次形成所述保护层之后，且在去除部分所述伪栅层之前，去除所述抑制层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。