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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203697B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010990198.8，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由涂武涛;纪世良;陈建;王彦;张海洋设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在衬底的器件区上形成若干第一鳍部和第二鳍部；在衬底的隔离区上形成若干第一伪栅结构；在衬底上形成介质层；在介质层和第二鳍部内形成第一开口；在第一开口内形成第一隔离结构；在介质层和第一鳍部内第二开口；在第二开口内形成第二隔离结构。第二鳍部位于器件区上，且第二鳍部还横跨于隔离区上，使得在隔离区上形成的第一伪栅结构会全部覆盖第二鳍部的部分侧壁和顶部表面，在去除位于第二区上的第一伪栅结构时，刻蚀溶液不会损伤到第二鳍部。通过不同步骤形成第一隔离结构和第二隔离结构，使得第一鳍部和第二鳍部能够产生不同类型的应力，以满足不同类型晶体管的需求，进而提升半导体结构性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括中间区，所述中间区包括沿第一方向排布的隔离区和器件区，所述隔离区位于相邻所述器件区之间，所述隔离区包括沿第二方向排布的第一区和第二区，所述第二方向与所述第一方向垂直；位于所述器件区上的若干第一鳍部和若干第二鳍部，所述第一鳍部和所述第二鳍部沿所述第二方向排布，所述第一鳍部和所述第二鳍部还横跨于所述隔离区上；位于所述衬底上的介质层；位于所述介质层和所述第二鳍部内的第一开口，所述第一开口位于所述第二区上；位于所述第一开口内的第一隔离结构；位于所述介质层和所述第一鳍部内的第二开口，所述第二开口位于所述第一区上；位于所述第二开口内的第二隔离结构；其中，在所述隔离区上形成若干第一伪栅结构，所述第一伪栅结构横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部；在所述衬底上形成所述介质层，所述介质层覆盖所述第一伪栅结构的侧壁；去除位于所述第二区上的所述第一伪栅结构和部分所述第二鳍部，在所述介质层和所述第二鳍部内形成所述第一开口。

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