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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利磁随机存取存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188474B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010963307.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁随机存取存储器及其形成方法是由王能语设计研发完成，并于2020-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁随机存取存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种磁随机存取存储器及其形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层，第一介质层内具有第一开口；在第一开口内形成第一导电结构和第二导电结构；在第一介质层和第二导电结构上形成磁性隧道结。通过在第一开口内形成第一导电结构和第二导电结构，第二导电结构的材料与第一导电结构的材料不同。由于所述第一导电结构能够形成较高的高度，对应形成的第一介质层的高度也较高，避免了在形成磁性隧道结的过程中刻蚀会穿透第一介质层；而第二导电结构的材料硬度较大，在进行平坦化处理之后，第二导电结构的顶部表面较为平整，保证形成在第二导电结构上的磁性隧道结不会发生形变，以此提升最终形成的磁随机存取存储器的性能。

本发明授权磁随机存取存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种磁随机存取存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口，所述第一开口包括第一区以及位于所述第一区上的第二区；位于所述第一区内的第一导电结构；位于所述第二区内的第二导电结构，所述第二导电结构的材料与所述第一导电结构的材料不同，所述第一导电结构的材料填充性大于所述第二导电结构的材料填充性，所述第二导电结构的材料硬度大于所述第一导电结构的材料硬度，所述第二导电结构在化学机械抛光工艺的平坦化处理之后的表面平整度大于所述第一导电结构在化学机械抛光工艺的平坦化处理之后的表面平整度；位于所述第一介质层和所述第二导电结构上的磁性隧道结，所述第一介质层的部分顶部表面低于第二导电结构的顶部表面；位于所述磁性隧道结上的顶部电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。