恭喜台湾积体电路制造股份有限公司曾志裕获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器、半导体器件以及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010930430.9，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器、半导体器件以及其形成方法是由曾志裕;陈明贤设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器、半导体器件以及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有全局快门的互补金属氧化物半导体图像传感器和一种用于制造互补金属氧化物半导体图像传感器的方法。在一个实施例中，一种半导体器件包含：光感测区；电荷存储区；光屏蔽结构；以及至少一个通孔触点；其中电荷存储区在空间上配置成在横向方向上邻近于光感测区，其中光屏蔽结构配置成在竖直方向上处于电荷存储区上方以便防止入射光从光感测区泄漏到信号处理区，其中光屏蔽结构配置在层间介电ILD层中，且其中光屏蔽结构与至少一个通孔触点同步地形成。
本发明授权图像传感器、半导体器件以及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：光感测区；电荷存储区；转移栅极，形成在所述电荷存储区上方；光屏蔽结构；以及至少一个通孔触点；其中所述电荷存储区在空间上配置成在横向方向上邻近于所述光感测区，其中所述光屏蔽结构配置成在竖直方向上处于所述电荷存储区上方以便防止入射光从所述光感测区泄漏到所述电荷存储区，其中所述光屏蔽结构配置在层间介电层中，其中所述光屏蔽结构包括第一表面和第二表面，其中所述第一表面与所述层间介电层共面，且所述第二表面包括多个皱折，其中所述皱折中的每一个的相对低部高于所述转移栅极的顶部，且其中所述光屏蔽结构与所述至少一个通孔触点同步地形成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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