恭喜佛山市国星半导体技术有限公司仇美懿获国家专利权
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龙图腾网恭喜佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种高可靠性UVC LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111933770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010921566.3，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权一种高可靠性UVC LED芯片及其制作方法是由仇美懿设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高可靠性UVC LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高可靠性UVCLED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和第一电极，还包括第二电极，所述第二电极分别设置在透明导电层和第一电极上；所述第一电极包括N‑接触层、第一阻绝层、第一扩散阻挡层和第一焊垫层。本发明通过优化欧姆接触，增加电流扩散性，同时通过第二电极来补平鼓泡电极结构，让电流传导更顺畅，从而提高芯片的整体寿命。
本发明授权一种高可靠性UVC LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性UVCLED芯片，包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和第一电极，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极分别设置在透明导电层和第一电极上；所述外延层包括依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述透明导电层设置在所述第二半导体层上；所述第一电极包括N-接触层、第一阻绝层、第一扩散阻挡层和第一焊垫层；所述N-接触层设置在所述第一半导体层上，由Ti制成；所述第一阻绝层设置在N-接触层上并将N-接触层的侧壁包裹，由Al或Au制成；所述第一扩散阻挡层设置在第一阻绝层上并将第一阻绝层的侧壁包裹，由Ti、Ni或Pt制成；所述第一焊垫层设置在第一扩散阻挡层上并将第一扩散阻挡层的侧壁包裹，由Au制成；所述第一电极要进行高温快速退火；其中，在温度800~950℃下，退火0.2~3min。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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