恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈信宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光学准直器、半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010905692.X，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权光学准直器、半导体装置及其形成方法是由陈信宇;翁睿均;潘汉宗;张佑诚;黎俊朋;陈信桦;邱俊杰;刘彦江;许希丞;胡景翔;洪嘉骏;李佳烜;拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普;吴威鼎;蒋季宏设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学准直器、半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法，该方法符合经济效益，制造用于接触式影像感测器的多功能准直器结构来过滤周围红外光，以减少噪声。在一实施例中，光学准直器包含介电层；基底；多个通孔；以及导电层，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，且其中导电层形成于介电层的第一表面和多个通孔的每一者的侧壁的一部分的至少一者上方，且其中导电层被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
本发明授权光学准直器、半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种光学准直器，包括：一介电层；一基底；多个通孔；以及一导电层，其中该介电层形成于该基底上方，其中所述多个通孔被配置为沿该介电层的一第一表面的一横向方向延伸的一阵列，其中所述多个通孔的每一者在一垂直方向从该介电层的该第一表面延伸通过该介电层和该基底至该基底的一第二表面，且其中该导电层形成于该介电层的该第一表面和所述多个通孔的每一者的侧壁的一部分的至少一者上方，且其中该导电层被配置为允许该光学准直器过滤一波长范围的光，其中该介电层的一第一厚度在0.8μm至1.2μm的范围中，且该基底的一第二厚度在4μm至8μm的范围中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号