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龙图腾网恭喜AMS国际有限公司申请的专利膜结构、换能器装置和制造膜结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114946197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080071552.5，技术领域涉及：H04R7/12；该发明授权膜结构、换能器装置和制造膜结构的方法是由皮特·赫布;米歇尔·穆勒;戈兰·斯托扬诺维奇设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本膜结构、换能器装置和制造膜结构的方法在说明书摘要公布了：一种膜结构1包括具有主表面4和后部表面24的基底2。多个支柱10被设置在基底2的主表面4上并且具有背离基底2的主表面4的支撑区域12。薄膜结构6被设置在基底2的主表面4和支柱10上方，其中薄膜结构6包括多个升高部15，升高部与基底2之间的间隔大于薄膜结构的至少一个下部16与基底2之间的间隔。升高部15均包括至少一个突出部分13，突出部分13为中空的并且具有底部部分14和侧壁22，并且突出部分13朝向基底2延伸。每个突出部分13的底部部分14分别机械连接到支柱10之一的支撑区域12。后空间5由基底2的主表面4与薄膜结构6之间的空间形成。

本发明授权膜结构、换能器装置和制造膜结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种膜结构1，包括：-基底2，其具有主表面4和后部表面24，-多个支柱10，支柱10被设置在所述基底2的主表面4上并且具有背离所述基底2的主表面4的支撑区域12，以及-薄膜结构6，其被设置在所述基底2的主表面4和所述支柱10上方，薄膜结构6形成膜，其中-薄膜结构6包括多个升高部15，升高部与基底2之间的间隔大于薄膜结构的至少一个下部16与基底2之间的间隔；-升高部15中的每个包括至少一个突出部分13，突出部分13为中空的并且具有底部部分14和侧壁22，并且突出部分13朝向基底2延伸，-每个突出部分13的底部部分14分别机械连接到支柱10之一的支撑区域12，其中支柱10和突出部分13中的每一对在膜偏转过程中形成机械移相器，-后空间5由基底2的主表面4与薄膜结构6之间的空间形成，-其中，所述支柱10和所述薄膜结构6的突出部分13布置在距薄膜结构6的外边缘预定距离处；并且-其中，所述机械移相器在所述膜的外部部分20和中心部分19之间提供180度的相移。

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