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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利FINFET器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447715B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010883722.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权FINFET器件和方法是由刘书豪;陈国儒;李凯璇;翁翊轩;杨正宇;陈亮吟;张惠政;杨育佳;章勋明;周孟翰设计研发完成，并于2020-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本FINFET器件和方法在说明书摘要公布了：本申请公开了FINFET器件和方法。一种器件，包括从半导体衬底延伸的鳍；在鳍之上的栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上的第一间隔件；在与第一间隔件相邻的鳍中的源极漏极区域；在栅极堆叠、第一间隔件和源极漏极区域之上延伸的层间电介质层ILD，ILD具有第一部分和第二部分，其中ILD的第二部分比ILD的第一部分更靠近栅极堆叠；延伸穿过ILD并接触源极漏极区域的接触插塞；在接触插塞的侧壁上的第二间隔件；以及第一隔离件和第二隔离件之间的气隙，其中，ILD的第一部分延伸穿过气隙并与第二间隔件物理接触，其中，ILD的第一部分密封气隙。

本发明授权FINFET器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：鳍，从半导体衬底延伸；栅极堆叠，在所述鳍之上；第一间隔件，在所述栅极堆叠的侧壁上；源极漏极区域，在所述鳍中与所述第一间隔件相邻；层间电介质层ILD，在所述栅极堆叠、所述第一间隔件和所述源极漏极区域之上延伸，所述ILD包括第一部分和第二部分，其中，所述ILD的所述第二部分比所述ILD的所述第一部分更靠近所述栅极堆叠，其中，所述ILD的所述第一部分具有第一浓度的掺杂剂，并且其中，所述ILD的所述第二部分具有第二浓度的掺杂剂，所述第二浓度小于所述第一浓度；接触插塞，延伸穿过所述ILD并接触所述源极漏极区域；第二间隔件，在所述接触插塞的侧壁上；以及气隙，在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间，其中，所述ILD的所述第一部分延伸穿过所述气隙并物理接触所述第二间隔件，其中，所述ILD的所述第一部分密封所述气隙。

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