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龙图腾网恭喜武汉振光科技有限公司申请的专利一种微型集成多通道发光可控的半导体激光阵列光源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111900612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010859497.8，技术领域涉及：H01S5/02315；该发明授权一种微型集成多通道发光可控的半导体激光阵列光源是由葛振杰;任永学设计研发完成，并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微型集成多通道发光可控的半导体激光阵列光源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微型集成多通道发光可控的半导体激光阵列光源，包括：激光芯片和陶瓷热沉，激光芯片的P面设置有多个芯片正电极，多个芯片正电极间均设置有隔离槽一，激光芯片的N面为一个整体的芯片负电极；陶瓷热沉的正面设置有多个焊接区域，多个焊接区域间均设置有隔离槽二，多个焊接区域分别与多个芯片正电极一一对应焊接连接；多个焊接区域的两侧分别设置有负电极焊盘，负电极焊盘与芯片负电极采用金丝键合的方式连接。本发明阵列中的多个通道可以独立发光，其发光强度和发光时序均可以控制。

本发明授权一种微型集成多通道发光可控的半导体激光阵列光源在权利要求书中公布了：1.一种微型集成多通道发光可控的半导体激光阵列光源，其特征在于，包括：激光芯片和陶瓷热沉，所述激光芯片的P面设置有多个芯片正电极，多个所述芯片正电极间均设置有隔离槽一，所述激光芯片的N面为一个整体的芯片负电极；所述陶瓷热沉的正面设置有多个焊接区域，多个所述焊接区域间均设置有隔离槽二，多个所述焊接区域分别与多个所述芯片正电极一一对应焊接连接；所述多个焊接区域的两侧分别设置有负电极焊盘，所述负电极焊盘与所述芯片负电极采用金丝键合的方式连接；每个焊接区域表层设置有金属焊料区，金属焊料区通过电镀或溅射方式加工，金属焊料区的长度方向与激光芯片的腔长方向一致，金属焊料区域大小与激光芯片的芯片正电极一一对应，用于陶瓷热沉与激光芯片烧结；多个所述焊接区域与多个所述芯片正电极一一对应焊接后的激光正电极通过焊线或引线的方式引出；所述隔离槽一的腐蚀深度透过PN结，相邻隔离槽一的间距为0.5mm；相邻隔离槽二的间距为0.5mm。

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