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龙图腾网恭喜厦门超新芯科技有限公司申请的专利一种透射电镜高分辨原位液相变温芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111812125B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010798672.7，技术领域涉及：G01N23/02；该发明授权一种透射电镜高分辨原位液相变温芯片及其制备方法是由廖洪钢;江友红设计研发完成，并于2020-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种透射电镜高分辨原位液相变温芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种透射电镜高分辨原位液相变温芯片及其制备方法。所述芯片的下片有支撑层、冷冻层、绝缘层、加热层、绝缘层、孔道和中心视窗；冷冻层有四个接触电极、半导体制冷薄膜及导电金属薄膜；在中心视窗及半导体制冷薄膜所在区域，硅腐蚀掉后留下孔道，支撑层覆盖在孔道上方；半导体制冷薄膜及导电金属薄膜均置于支撑层上；以中心视窗为中心，在支撑层上沉积一圈金属薄膜；半导体制冷薄膜的前端搭在金属薄膜上，后端与四个接触电极相连；冷冻层与加热层通过绝缘层隔开；加热层有两个接触电极及螺旋环形加热丝，加热丝位于半导体制冷薄膜的上方；中心视窗上有多个小孔。所述芯片具有控温范围大，变温速率快，可实现原位动态观测的优点。

本发明授权一种透射电镜高分辨原位液相变温芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种透射电镜高分辨原位液相变温芯片，其结构为上片和下片通过金属键合层组合，自封闭形成一个超薄的腔室；上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片，上片有两个注样口和一个第一中心视窗，其特征在于，下片设置有支撑层、冷冻层、第一绝缘层、加热层、第二绝缘层、孔道以及第二中心视窗；冷冻层设置有四个接触电极、不少于一级的半导体制冷薄膜以及导电金属薄膜，其中四个接触电极置于芯片的边缘；在第二中心视窗以及半导体制冷薄膜所在区域，硅腐蚀掉后留下孔道，支撑层覆盖在孔道上方；半导体制冷薄膜及导电金属薄膜均置于孔道上的支撑层上，并不直接与硅基片接触；以第二中心视窗为中心，在支撑层上沉积金属薄膜；半导体制冷薄膜的前端搭在所述金属薄膜上，后端与冷冻层上的四个接触电极相连；如果为至少两级半导体制冷薄膜，则其后端依次用金属薄膜连接各级半导体制冷薄膜，直至最后一级半导体制冷薄膜与冷冻层上的四个接触电极相连；冷冻层与加热层通过第一绝缘层隔开，加热层与外界通过第二绝缘层隔开；加热层有两个接触电极及螺旋环形加热丝，加热丝位于半导体制冷薄膜的上方；所述上片的面积小于下片的面积，上片的第一中心视窗和下片的第二中心视窗对齐，第一中心视窗和第二中心视窗上均有多个小孔；所述下片的外形尺寸为2*2-10*10mm；所述半导体制冷薄膜中的半导体为n型半导体和p型半导体，其中n型半导体采用的是n型碲化铋、n型锗化硅、n型碲化铅、n型碲化锌或n型硒化铋；p型半导体采用的是多晶硅、p型碲化铋、p型锗化硅或p型碲化锑。

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