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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972172B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010725785.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括器件区和伪器件区，基底包括隔离层、位于隔离层上的栅极结构、位于栅极结构上的第一掩膜层、位于栅极结构之间隔离层上的源漏插塞以及位于源漏插塞上第二掩膜层。本发明实施例，分别去除伪器件区上的第一掩膜层和第二掩膜层，相应的，第一开口和第二开口分别露出伪器件区中的栅极结构和源漏插塞，在同一步骤中去除第一开口露出的栅极结构以及第二开口露出的源漏插塞，第一开口底部的栅极凹槽和第二开口底部的源漏凹槽同时形成，相应的能够在同一步骤中在栅极凹槽和源漏凹槽中形成介电层，介电层能够同时阻断栅极结构和源漏插塞，有利于简化半导体结构的形成工艺。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括器件区和伪器件区，所述基底包括隔离层、位于所述隔离层上的栅极结构、位于所述栅极结构上的第一掩膜层、位于所述栅极结构之间所述隔离层上的源漏插塞以及位于所述源漏插塞上第二掩膜层；去除所述伪器件区的所述栅极结构上的所述第一掩膜层，在所述第一掩膜层中形成露出所述栅极结构的第一开口；去除所述伪器件区的所述源漏插塞上的所述第二掩膜层，在所述第二掩膜层中形成露出所述源漏插塞的第二开口；以剩余的所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜去除所述第一开口露出的所述栅极结构以及第二开口露出的所述源漏插塞，在所述第一开口底部形成栅极凹槽，在所述第二开口底部形成源漏凹槽；在所述栅极凹槽和源漏凹槽中形成介电层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。