恭喜佛山市国星半导体技术有限公司仇美懿获国家专利权
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龙图腾网恭喜佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利抗水解的GaN外延结构及其制作方法和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010679475.3，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权抗水解的GaN外延结构及其制作方法和芯片是由仇美懿;庄家铭设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗水解的GaN外延结构及其制作方法和芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了抗水解的GaN外延结构及其制作方法和芯片，其中，所述外延结构包括衬底、设置在衬底上的缓冲层、设置在缓冲层上的3D‑Gr层、设置在3D‑Gr层上的缺陷阻挡层、设置在缺陷阻挡层上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二半导体层。本发明通过缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的相互作用，有效减少外延结构的晶格缺陷，提高外延结构的晶体质量，同时提高缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的密度，减缓缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的水解腐蚀速率，从而提高外延结构的抗水解能力。
本发明授权抗水解的GaN外延结构及其制作方法和芯片在权利要求书中公布了：1.一种抗水解的GaN外延结构，其特征在于，包括衬底、设置在衬底上的缓冲层、设置在缓冲层上的3D-Gr层、设置在3D-Gr层上的缺陷阻挡层、设置在缺陷阻挡层上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二半导体层；所述缓冲层由掺杂了Si的GaN制成，所述3D-Gr层由掺杂了Si的GaN制成，所述缺陷阻挡层由AlxGa1-xN制成，x＝0.01～0.05，其中，所述3D-Gr层中Si的掺杂浓度大于缓冲层中Si的掺杂浓度，且所述3D-Gr层的生长速度大于缓冲层的生长速度；所述3D-Gr层在缓冲层上形成镜面结构。
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