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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010667825.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法是由申洪湜;卢炫准;朴兴植;成石铉;李道行;李元赫设计研发完成，并于2020-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极漏极图案，源极漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极漏极接触插塞的环形。

本发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：跨越衬底的栅极图案，所述栅极图案包括依次堆叠在所述衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖所述栅极图案的侧壁；在所述衬底上的源极漏极图案，所述源极漏极图案邻近所述栅极图案的所述侧壁；在所述源极漏极图案上并与所述栅极间隔物的侧表面直接接触的接触垫，所述接触垫的顶表面低于所述栅电极的顶表面；在所述接触垫上的源极漏极接触插塞；以及保护间隔物，在所述栅极间隔物与所述源极漏极接触插塞之间并与所述栅极间隔物和所述源极漏极接触插塞中的每个直接接触，所述保护间隔物与所述栅极间隔物的顶部和所述栅极盖图案的顶部重叠，所述保护间隔物具有包围所述源极漏极接触插塞的环形，其中所述保护间隔物与所述栅极间隔物的所述侧表面和所述顶部直接接触，以及其中所述保护间隔物的第一宽度大于所述栅极间隔物的第二宽度，所述保护间隔物的所述第一宽度是所述保护间隔物的在所述栅极图案之上沿第一方向测量的最大宽度，所述栅极间隔物的所述第二宽度是所述栅极间隔物的从所述栅极图案的所述侧壁起沿所述第一方向在所述栅极间隔物的底部处测量的最大宽度，所述第一方向垂直于所述栅极图案的所述侧壁。

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