恭喜富士胶片电子材料美国有限公司水谷笃史获国家专利权
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龙图腾网恭喜富士胶片电子材料美国有限公司申请的专利用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080043573.6，技术领域涉及：G03F7/32；该发明授权用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物是由水谷笃史;W·A·沃伊特恰克;杉岛泰雄;R·萨卡穆里设计研发完成，并于2020-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物在说明书摘要公布了：本公开涉及组合物，其包括：1至少一种水溶性极性非质子有机溶剂；2至少一种氢氧化季铵；3至少一种羧酸；4至少一种第II族金属阳离子；5至少一种选自于由6‑取代‑2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪所组成的群组的铜腐蚀抑制剂；及6水，其中，该组合物不含包含至少三个羟基的化合物。该组合物可有效地剥离半导体基板上的正或负调性光刻胶或光刻胶残余物，且对凸块及在下面的金属化材料诸如，SnAg、CuNiSn、CuCoCu、CoSn、Ni、Cu、Al、W、Sn、Co等不具腐蚀性。
本发明授权用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶剥离组合物，包含：1）至少一种水溶性极性非质子有机溶剂；2）至少一种氢氧化季铵；3）至少一种羧酸；4）至少一种第II主族金属阳离子；5）至少一种选自于由6-取代-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪所组成的群组的铜腐蚀抑制剂；及6）水；其中，所述组合物不含醇溶剂和包含至少三个羟基的化合物。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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