恭喜英飞凌科技股份有限公司黄志洋获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有填充的导电腔体的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111564415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010079564.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权具有填充的导电腔体的半导体封装是由黄志洋;蔡福城;S·马海因尔;J·梅尔茨;N·奥斯曼;J·V·苏赛普拉卡萨姆;H·H·郑设计研发完成，并于2020-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有填充的导电腔体的半导体封装在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体封装，包括框架，该框架具有：具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的绝缘主体；第一主表面处的第一多个金属迹线；以及绝缘主体中的第一腔体。导热和或导电材料填充绝缘主体中的第一腔体，并且具有与第一多个金属迹线不同的成分。导热和或导电材料在绝缘主体的第一主表面和第二主表面之间提供导热和或导电路径。在绝缘主体的第一主表面附接到框架的半导体管芯电连接到第一多个金属迹线并且电连接到填充绝缘主体中的第一腔体的导热和或导电材料。还描述了一种对应的制造方法。
本发明授权具有填充的导电腔体的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括：框架，包括具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面的绝缘主体、所述第一主表面处的第一多个金属迹线、以及在所述绝缘主体中的第一腔体；导热和或导电材料，填充所述绝缘主体中的所述第一腔体并且具有与所述第一多个金属迹线不同的成分，所述导热和或导电材料在所述绝缘主体的所述第一主表面和所述第二主表面之间提供导热和或导电路径；以及半导体管芯，所述半导体管芯在所述绝缘主体的所述第一主表面处附接到所述框架，并且电连接到所述第一多个金属迹线并电连接到填充所述绝缘主体中的所述第一腔体的所述导热和或导电材料，其中，所述半导体管芯是功率半导体管芯，其中，所述功率半导体管芯的面向所述绝缘主体的所述第一主表面的高功率端子电连接到填充所述绝缘主体中的所述第一腔体的所述导热和或导电材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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