恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010049531.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由张海洋;陈建;涂武涛设计研发完成，并于2020-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括中间区域和边缘区域，所述衬底上具有栅极结构，所述中间区域的所述栅极结构的高度与所述边缘区域的所述栅极结构的高度具有差异；采用至少一次沉积工艺在所述衬底、所述栅极结构表面形成覆盖层，位于高度高的所述栅极结构上的所述覆盖层的厚度小于位于高度低的所述栅极结构上的所述覆盖层的厚度；在每次形成完所述覆盖层后，均刻蚀所述覆盖层及部分厚度的所述栅极结构。本发明实施例提供的形成方法，可以提高衬底上不同区域的栅极结构的高度均匀性，提高半导体生产的良率和可靠性。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括中间区域和边缘区域，所述衬底上具有栅极结构，所述中间区域的所述栅极结构的栅极材料层的高度与所述边缘区域的所述栅极结构的栅极材料层的高度具有差异；采用多次沉积工艺在所述衬底、所述栅极结构表面形成覆盖层，采用控温方法形成所述覆盖层，位于高度高的所述栅极结构的栅极材料层上的所述覆盖层的厚度小于位于高度低的所述栅极结构的栅极材料层上的所述覆盖层的厚度；在每次形成完所述覆盖层后，均刻蚀所述覆盖层及部分厚度的所述栅极结构的所述栅极材料层；循环进行形成所述覆盖层以及刻蚀所述覆盖层和所述栅极结构的步骤。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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