恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杨广立获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010011098.6，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由杨广立;郑大燮设计研发完成，并于2020-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的所述衬底上形成场氧化层；在所述第一区域的所述衬底内形成漂移区；在所述第一区域的部分所述衬底和所述第二区域的部分所述衬底上形成栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分所述漂移区和部分所述场氧化层表面；在所述栅极结构露出的所述场氧化层下方的所述漂移区内形成离子掺杂区，所述离子掺杂区的掺杂离子类型与所述漂移区的掺杂离子类型相反。所述形成方法形成的半导体结构可以在降低导通电阻的同时保持有较高的击穿电压。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的所述衬底上形成场氧化层；在所述第一区域的所述衬底内形成漂移区；在所述第一区域的部分所述衬底和所述第二区域的部分所述衬底上形成栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分所述漂移区和部分所述场氧化层表面；在所述栅极结构露出的所述场氧化层下方的所述漂移区内形成离子掺杂区，且所述离子掺杂区只形成在所述栅极结构露出的所述场氧化层下方，所述离子掺杂区的掺杂离子类型与所述漂移区的掺杂离子类型相反。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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