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龙图腾网恭喜西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110908427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911316729.9，技术领域涉及：G05F1/573；该发明授权一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路是由王勇;冯瑜;付静;李敏娟设计研发完成，并于2019-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于：所述电路包括了一个误差放大器、一个主通路和一个限流保护电路；误差放大器与主通路形成负反馈环路，将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，经过调整管放大到输出，保证了输出电压稳定在规定值上；限流保护电路与主通路形成电流环路，从而实现对输出电流的限制和保护功能，当线性稳压器工作在输入输出压差较大的情况下，可以将高压线性稳压器的负载电流限制在一定范围之内，避免长时间的大电流对功率管造成损坏，从而烧毁芯片。本电路具有稳定的限流保护功能，结构简单，大大提高系统的可靠性。

本发明授权一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于，包括主通路、误差放大器和限流保护电路；所述主通路包括P型MOS管、N型MOS管、第一电阻R1、第二电阻R2，所述限流保护电路包括限流电路和保护OCP电路，所述限流电路包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、第一电流源IBIAS1和第二电流源IBIAS2，所述保护OCP电路包括三个P型MOS管、一个N型MOS管、第一电阻r1、第二电阻r2、第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3；误差放大器的输入端VINP与输入端口VINP相连，误差放大器的另一输入端VINN与主通路的第一电阻R1的一端、第二电阻R2的一端相连，误差放大器的输出端VOUT与主通路的第一N型MOS管N1的栅极相连；限流保护电路的输入端口CSV与主通路的第一P型MOS管的漏极、第一N型MOS管N1的漏极相连，限流保护电路的输出端口DRV与主通路的第一P型MOS管P1的栅极相连；主通路的第一N型MOS管N1的源极、第一电阻R1的另一端与输出端口Vout相连，主通路的第一P型MOS管P1的源极与电源相连，主通路的第二电阻R2的另一端与地相连；在限流电路中，第一P型MOS管mP1的源极、第二P型MOS管mP2的源极、第三P型MOS管mP3的源极、第四P型MOS管mP4的源极、第五P型MOS管mP5的源极、第六P型MOS管mP6的源极、第三N型MOS管mN3的栅极、第一电流源IBIAS1的一端、第二电流源IBIAS2的一端与电源连接，第一P型MOS管mP1的栅极、第一P型MOS管mP1的漏极、第二P型MOS管mP2的栅极与第三N型MOS管mN3的漏极连接，第二P型MOS管mP2的漏极、第三P型MOS管mP3的栅极、第三P型MOS管mP3的漏极、第四P型MOS管mP4的栅极与第四N型MOS管mN4的漏极连接，第四P型MOS管mP4的漏极、第五P型MOS管mP5的栅极、第六P型MOS管mP6的栅极、第六P型MOS管mP6的漏极、第八N型MOS管mN8的漏极、第九N型MOS管mN9的漏极与输出端口DRV连接，第五P型MOS管mP5的漏极与第八P型MOS管mP8的源极连接，第七P型MOS管mP7的源极与输入端口CSV连接，第七P型MOS管mP7的栅极、第七P型MOS管mP7的漏极、第八P型MOS管mP8的栅极与第六N型MOS管mN6的漏极连接，第八P型MOS管mP8的漏极、第五N型MOS管mN5的栅极、第六N型MOS管mN6的栅极、第七N型MOS管mN7的栅极与第七N型MOS管mN7的漏极连接，第一N型MOS管mN1的漏极、第一N型MOS管mN1的栅极、第二N型MOS管mN2的栅极与第一电流源IBIAS1的另一端连接，第二N型MOS管mN2的漏极与第三N型MOS管mN3的源极连接，第四N型MOS管mN4的栅极、第九N型MOS管mN9的栅极与信号OCP连接，第四N型MOS管mN4的源极与第五N型MOS管mN5的漏极连接，第八N型MOS管mN8的栅极、第十N型MOS管mN10的栅极、第十一N型MOS管mN11的栅极、第十一N型MOS管mN11的漏极与第二电流源IBIAS2的另一端连接，第九N型MOS管mN9的源极与第十N型MOS管mN10的漏极连接，第一N型MOS管mN1的源极、第二N型MOS管mN2的源极、第五N型MOS管mN5的源极、第六N型MOS管mN6的源极、第七N型MOS管mN7的源极、第八N型MOS管mN8的源极、第十N型MOS管mN10的源极、第十一N型MOS管mN11的源极与地连接；在所述保护OCP电路中，第一P型MOS管Mp1的源极、第一N型MOS管Mn1的栅极、第一电阻r1的一端与电源连接，第一P型MOS管Mp1的栅极、第一P型MOS管Mp1的漏极与第二P型MOS管Mp2的源极连接，第二P型MOS管Mp2的栅极、第二P型MOS管Mp2的漏极、第三P型MOS管Mp3的栅极与输入端口CSV连接，第三P型MOS管Mp3的源极与第一电阻r1的另一端连接，第三P型MOS管Mp3的漏极、第一N型MOS管Mn1的漏极与第二电阻r2的一端连接，第一N型MOS管Mn1的源极与第一反相器INV1的输入端A连接，第一反相器INV1的输出端Y与第二反相器INV2的输入端A连接，第二反相器INV2的输出端Y与第三反相器INV3的输入端A连接，第三反相器INV3的输出端Y与信号OCP连接，第二电阻r2的另一端与地连接。

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