恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵猛获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911275982.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2019-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的衬底内形成源漏开口；在所述源漏开口的底面和侧壁面形成第一应力层；减薄所述第一应力层的侧壁。所述形成方法形成的半导体结构能够提高半导体器件的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的衬底内形成源漏开口；在所述源漏开口的底面和侧壁面形成第一应力层；减薄所述第一应力层的侧壁；其中，所述第一应力层的侧壁包括：位于所述第一栅极结构下方的侧壁以及与所述位于所述第一栅极结构下方的侧壁相对的侧壁；所述减薄第一应力层的方法包括：在所述第一应力层位于所述第一栅极结构下方的侧壁内形成过渡层，在与所述位于所述第一栅极结构下方的侧壁相对的侧壁没有形成过渡层；刻蚀去除所述过渡层；所述过渡层与所述第一应力层具有不同的刻蚀速率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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