恭喜通用电气公司史蒂芬·戴利·亚瑟获国家专利权
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龙图腾网恭喜通用电气公司申请的专利具有改进的电场抑制的高压半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113287192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980088826.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权具有改进的电场抑制的高压半导体器件是由史蒂芬·戴利·亚瑟;于梁纯;南希·塞西莉亚·斯托费尔;大卫·理查德·埃斯勒;克里斯托弗·詹姆斯·卡普斯塔设计研发完成，并于2019-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改进的电场抑制的高压半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件16。该半导体器件16包括形成在端接区域上的电场E场抑制层36。E场抑制层36图案化为在金属接触区域66上形成有开口。E场抑制层36的厚度使得当半导体器件16在最大电压或低于最大电压下操作时，E场抑制层36上方的电场强度低于相邻材料的介电强度。
本发明授权具有改进的电场抑制的高压半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件具有对应的操作最大电压，其特征在于，所述半导体器件包括：电场E场抑制层，所述电场E场抑制层形成在端接区域上，其中所述E场抑制层包括结合到所述端接区域上的隔离层的膜，其中所述E场抑制层被图案化为在金属接触区域上具有开口，并且其中所述E场抑制层包括厚度，使得当所述半导体器件在所述最大电压下操作时，所述E场抑制层上方的电场强度低于相邻材料的介电强度；所述隔离层包括形成在所述E场抑制层下方的钝化层和由不同材料形成在所述钝化层上且在所述E场抑制层下方的介电层；以及金属化层，所述金属化层至少部分地形成在所述E场抑制层上方，以形成功率覆盖POL结构，所述功率覆盖POL结构被构造为扩大下方接合区域，其中所述POL结构包括所述E场抑制层，所述E场抑制层具有50μm-200μm的范围内的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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