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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体集成电路的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111584429B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911261456.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体集成电路的制造方法是由丰田善昭设计研发完成，并于2019-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体集成电路的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体集成电路的制造方法。该半导体集成电路的制造方法包括以下工序：在n‑型的半导体层12的上部的一部分改变注入位置地多级注入p型杂质离子，形成第一离子注入区；在上部的其它的一部分改变注入位置地多级注入p型杂质离子，形成第二离子注入区；使第一离子注入区的杂质离子活化来形成第二导电型的阱区22、23，同时使第二离子注入区的杂质离子活化来形成p型的体区13；在阱区22的上部形成具有n+型的第一端子区和第二端子区25a、25b的控制元件201；以及在体区13的上部形成具有n+型的输出端子区15a、15b且由控制元件201来控制的输出级元件101。

本发明授权半导体集成电路的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在第一导电型的半导体层的上部的一部分改变注入位置地多级注入呈第二导电型的杂质离子，由此选择性地形成第一离子注入区；在所述上部的其它的一部分改变所述注入位置地多级注入呈第二导电型的杂质离子，由此选择性地形成第二离子注入区；使所述第一离子注入区的杂质离子活化来形成第二导电型的阱区，同时使所述第二离子注入区的杂质离子活化来形成第二导电型的体区；在所述阱区的上部形成具有彼此相向的第一导电型的第一端子区和第二端子区的控制元件；以及在所述体区的上部形成具有第一导电型的输出端子区且由所述控制元件来控制的输出级元件，其中，在选择性地形成所述第一离子注入区的工序和选择性地形成所述第二离子注入区的工序之前，还包括在所述上部的又一其它部分挖出沟槽的工序，在选择性地形成所述第一离子注入区的工序和选择性地形成所述第二离子注入区的工序之前，还包括以填埋所述沟槽的方式在所述半导体层上形成耐氧化性膜的工序。

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