恭喜艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司C·高希获国家专利权
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龙图腾网恭喜艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111788671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880090259.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体装置及其制造方法是由C·高希;许国阳;王清设计研发完成，并于2018-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了诸如垂直腔表面发射激光器的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括接触延伸部及导电粘合材料，诸如可熔金属合金或导电复合物。在一些情况下，半导体装置还包括结构化接触件。这些部件允许制造具有最小变形的半导体装置。例如，可制造展现少许弯曲至不弯曲的垂直腔表面发射激光器阵列。在一些情况下，具有最小变形的半导体装置展现了增强的效能。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：基板，其具有相对的第一侧及第二侧；外延层，其具有相对的第一侧及第二侧，所述外延层的所述第一侧邻接所述基板的所述第一侧；基板接触件，其邻接所述基板的所述第二侧；外延接触件，其邻接所述外延层的所述第二侧；子底座，其通过导电材料安装至子底座接触件，所述子底座接触件为所述外延接触件或所述基板接触件；正面子底座接触件，所述正面子底座接触件为不与所述子底座接触件相关联的所述外延接触件或所述基板接触件；以及接触延伸部，其邻接所述正面子底座接触件；其中，所述接触延伸部可操作为抵消所述基板的所述第一侧和所述外延层的所述第一侧的附近的本征应力，从而使得所述半导体装置在高于所述导电材料的熔化温度的情况下是平面的形式；并且其中，所述接触延伸部内的本征应力是由在所述接触延伸部的电沉积期间的处理参数引起的，并且其中，所述接触延伸部内的所述本征应力被调整为抵消所述基板的所述第一侧和所述外延层的所述第一侧的附近的本征应力。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司，其通讯地址为：德国雷根斯堡；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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