恭喜英飞凌科技奥地利有限公司M.哈里逊获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109872974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811480537.7，技术领域涉及：H01L23/34；该发明授权具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件是由M.哈里逊;G.辛纳设计研发完成，并于2018-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：半导体衬底，其具有带有一个或多个晶体管单元的第一区和没有晶体管单元的第二区；半导体衬底的第一区和第二区上的第一介电材料；第一介电材料上面的第二介电材料；在半导体衬底的第二区上的第一介电材料中形成的pn二极管；多个第一接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的p型区中以使得该p型区毗连每个第一接触的侧壁；以及多个第二接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的n型区中以使得该n型区毗连每个第二接触的侧壁。
本发明授权具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括：半导体衬底，其具有带有一个或多个晶体管单元的第一区和没有晶体管单元的第二区；半导体衬底的第一区和第二区上面的第一介电材料；第一介电材料上面的第二介电材料；在半导体衬底的第二区上面的第一介电材料中形成的pn二极管；多个第一接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的p型区中以使得该p型区毗连每个第一接触的侧壁；以及多个第二接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的n型区中以使得该n型区毗连每个第二接触的侧壁，其中该多个第一接触与pn二极管的第一边缘间隔开至少50μm，多个第一接触沿着该第一边缘平行延伸，并且其中该多个第二接触与pn二极管的第二边缘间隔开至少50μm，多个第二接触沿着该第二边缘平行延伸，以便能够使用共用接触形成工艺同时地形成至pn二极管的接触和至晶体管单元的接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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