买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种用于金氧半场效晶体管的键合参数优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742254B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510251766.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种用于金氧半场效晶体管的键合参数优化方法是由何昌;张光亚;李俊峰设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于金氧半场效晶体管的键合参数优化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造技术领域，一种用于金氧半场效晶体管的键合参数优化方法，包括：获取键合金属线集及材料分析机构，利用材料分析机构对键合金属线集执行性能分析操作，得到键合难度及键合稳定性，基于参考压力范围、参考超声范围及参考时间范围确认键合参数组集，基于键合参数组、键合金属线集及键合机对预构建的初始晶体管执行键合操作，利用温度测试仪及半导体测试仪对MOS管进行键合稳定测试，得到键合成功度，将最大键合成功度对应的键合参数组作为目标参数组，完成对金氧半场效晶体管的键合参数优化。本发明可提高对金氧半场效晶体管的键合参数进行优化的精确度，提高金氧半场效晶体管的良品率。

本发明授权一种用于金氧半场效晶体管的键合参数优化方法在权利要求书中公布了：1.一种用于金氧半场效晶体管的键合参数优化方法，其特征在于，所述方法包括：获取键合金属线集及材料分析机构，其中，材料分析机构包括：拉伸试验机、弹性测试仪、测试电源及导热测定仪，其中，拉伸试验机包括：固定夹具、拉伸杆、拉力传感器及位移传感器；利用材料分析机构对键合金属线集执行性能分析操作，得到键合难度及键合稳定性，基于键合难度及键合稳定性确认出参考压力范围、参考超声范围及参考时间范围；确认出键合处理机构，其中，键合处理机构包括：键合机、温度测试仪及半导体测试仪，且半导体测试仪包括：栅极端、漏极端及源极端；基于参考压力范围、参考超声范围及参考时间范围确认键合参数组集，对键合参数组集中每一个键合参数组执行如下操作：基于键合参数组、键合金属线集及键合机对预构建的初始晶体管执行键合操作，得到键合晶体管，对键合晶体管进行封装，得到MOS管，其中，MOS管包括：初始源极、初始漏极及初始栅极；利用温度测试仪及半导体测试仪对MOS管进行键合稳定测试，得到键合成功度；其中，所述利用温度测试仪及半导体测试仪对MOS管进行键合稳定测试，得到键合成功度，包括：将MOS管的初始源极、初始漏极及初始栅极分别与半导体测试仪的源极端、漏极端及栅极端相连，得到目标测试仪；利用目标测试仪对MOS管进行电压阈值测试，得到晶体管电压阈值；利用温度测试仪获取MOS管的初始工作温度，利用目标测试仪设定MOS管的初始漏极与初始源极间的电压为预设的第一工作电压，得到第一MOS管，利用目标测试仪设定第一MOS管的初始栅极与初始源极间的电压为预设的第二工作电压，得到第二MOS管，其中，第一工作电压大于第二工作电压，第二工作电压大于晶体管电压阈值；以得到第二MOS管的时间为起点并实时记录时间，得到晶体工作时间，直到晶体工作时间达到预设的工作时间阈值，利用温度测试仪获取第二MOS管的终止工作温度；根据晶体管电压阈值、工作时间阈值、初始工作温度及终止工作温度计算键合成功度，计算公式如下所示： ；其中，为键合成功度，为晶体管电压阈值，为预设的标准电压阈值，及分别为终止工作温度及初始工作温度，为工作时间阈值，指双曲正切函数，指取绝对值；汇总键合成功度，得到多个键合成功度，基于多个键合成功度确认最大键合成功度，其中，最大键合成功度为多个键合成功度中最大的键合成功度；将最大键合成功度对应的键合参数组作为目标参数组，完成对金氧半场效晶体管的键合参数优化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市美浦森半导体有限公司，其通讯地址为：518102 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。