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龙图腾网恭喜绵阳炘皓新能源科技有限公司申请的专利一种自形成gap区域的TBC电池结构及其PVD法制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653870B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510167610.9，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种自形成gap区域的TBC电池结构及其PVD法制备方法是由刘思瑞;刘大伟;杨仕林;刘军保;王涛设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自形成gap区域的TBC电池结构及其PVD法制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏技术领域，公开了一种自形成gap区域的TBC电池结构及其PVD法制备方法，包括硅基体，所述硅基体的背表面设置有p+区域和n+区域，所述p+区域和n+区域在硅基体背表面上所处高度位置相互错开形成台阶，连接p+区域和n+区域的台阶侧壁处形成gap区域，所述gap区域用于电学隔离所述p+区域和n+区域；所述p+区域包括在硅基体上依次沉积的第一隧穿氧化层、p‑poly层、第二隧穿氧化层和n‑poly层；所述n+区域在硅基体上依次沉积的第二隧穿氧化层和n‑poly层。本发明利用p‑poly叠加n‑poly形成隧穿结，可直接避免使用第二次激光去除p‑poly上的n‑poly，避免了激光对表面晶硅层的损伤，同时减少一道激光开槽工序，大大的降低了生产成本。

本发明授权一种自形成gap区域的TBC电池结构及其PVD法制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自形成gap区域的TBC电池结构的PVD法制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，将N型单晶硅片进行双面抛光处理；S2，选择N型单晶硅片某一面作为背表面，依次沉积第一隧穿氧化层和本征poly膜层；S3，对本征poly膜层进行硼源沉积与推进，得到p-poly层，并在p-poly层表面生长一层BSG膜层；S4，采用激光对背表面进行图形化处理，局部去除背表面的BSG膜层；S5，湿法清洗，使得背表面预留的n-poly沉积区域裸露出硅基体表面；S6，采用碱洗，使预留的n-poly沉积区域的硅基体腐蚀与p-poly区域的硅基体之间形成台阶；采用酸洗去除p-poly区域表面的BSG膜层；S7，在整个背面沉积第二隧穿氧化层，然后采用PVD沉积方法沉积一层原位掺杂的n型非晶硅膜层；S8，进行磷源的推进及非晶硅的晶化处理，获得n-poly层和PSG膜层；S9，清洗去除背表面的PSG膜层。

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