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恭喜长春长光圆辰微电子技术有限公司叶武阳获国家专利权

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龙图腾网恭喜长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利一种用于实时缺陷检测的TMBS器件制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119542169B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510089688.3,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权一种用于实时缺陷检测的TMBS器件制造方法是由叶武阳;勾浩亚;王浩宇;张昊宇设计研发完成,并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种用于实时缺陷检测的TMBS器件制造方法在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体制造技术领域,本申请提供一种用于实时缺陷检测的TMBS器件制造方法,步骤包括:在TMBS基底中采集在光刻和刻蚀过程中温度和湿度数据,输出第一实时监测参数值;使用传感器实时采集TMBS基底表面图像,输出第二实时监测参数值;在TMBS基底形成半导体栅极过程中,使用传感器实时采集温度分布图,输出第三实时监测参数值;为每个步骤设定工艺窗口并构建参数容忍度,当实时监测参数值超过对应的参数容忍度时,立即报警并调整当前步骤的参数;对TMBS器件进行封装。本申请通过实时采集温度、湿度和表面图像数据,并将其转化为带有方位特征的图像,进行实时监测和参数调整,达到实时缺陷检测的效果。

本发明授权一种用于实时缺陷检测的TMBS器件制造方法在权利要求书中公布了:1.一种用于实时缺陷检测的TMBS器件制造方法,其特征在于,包括:S10:在TMBS基底中集成传感器,采集在光刻和刻蚀过程中温度和湿度数据,基于笛卡尔坐标与计算机视觉将温度和湿度数据转换输出带有方位特征的TMBS基底伪彩色图像,所述带有方位特征的TMBS基底伪彩色图像作为第一实时监测参数值;S20:在光刻和刻蚀后,使用传感器实时采集TMBS基底表面图像,基于笛卡尔坐标与计算机视觉输出带有方位特征的TMBS基底表面图像,所述带有方位特征的TMBS基底表面图像作为第二实时监测参数值;S30:在TMBS基底形成半导体栅极过程中,使用传感器实时采集温度分布图,基于笛卡尔坐标与计算机视觉输出带有方位特征的温度分布图,所述带有方位特征的温度分布图作为第三实时监测参数值;S40:为S10-S30的每个步骤设定工艺窗口,根据历史数据和性能目标,为每个工艺窗口对应的实时监测参数值定义最佳参数值,并设定上下限构建参数容忍度,当实时监测参数值超过对应的参数容忍度时,立即报警并调整当前步骤的参数;S50:对TMBS器件进行封装。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长春长光圆辰微电子技术有限公司,其通讯地址为:130000 吉林省长春市经开区营口路18号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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