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龙图腾网恭喜西安龙飞电气技术有限公司申请的专利一种抗辐照超结功率MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510088313.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抗辐照超结功率MOS器件及其制备方法是由张园园;李建伟;胡海龙;曹琳;王宁平;张欣设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗辐照超结功率MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗辐照超结功率MOS器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次层叠的衬底层、缓冲层和外延层，其中，外延层中设置有间隔排列的多个超结柱，每个超结柱的上方设置有body区；body区内设置相接触的孔掺杂区和源掺杂区；外延层的上表面设置栅氧化层，栅氧化层的下表面与外延层、body区和源掺杂区的部分上表面相接触；栅氧化层的上表面覆盖有多晶硅层，栅氧化层与多晶硅层组成栅电极；相邻body区之间未被栅氧化层覆盖的外延层上还设置有间隔掺杂注入区。本发明通过间隔掺杂注入区，能够减少粒子入射后栅氧区域下方的空穴聚集数量，提升SEGR能力；减少通过寄生晶体管基区电阻的电流，提高SEB的阈值。

本发明授权一种抗辐照超结功率MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照超结功率MOS器件，其特征在于，包括自下而上依次层叠的衬底层1、缓冲层2和外延层3，其中，所述外延层3中设置有间隔排列的多个超结柱4，每个超结柱4的上方设置有body区5；所述body区5内设置有彼此相接触的孔掺杂区6和源掺杂区7，并且所述body区5、所述孔掺杂区6和所述源掺杂区7的上表面均平齐，所述孔掺杂区6和所述源掺杂区7的深度小于所述body区5的深度；所述外延层3的上表面还设置有栅氧化层8，所述栅氧化层8的下表面与所述外延层3、所述body区5和所述源掺杂区7的部分上表面相接触；所述栅氧化层8的上表面覆盖有多晶硅层9，所述栅氧化层8与所述多晶硅层9组成栅电极；相邻所述body区5之间未被所述栅氧化层8覆盖的所述外延层3上还设置有间隔掺杂注入区10，所述孔掺杂区6位于所述源掺杂区7的远离所述间隔掺杂注入区10的一侧，所述源掺杂区7与所述间隔掺杂注入区10的掺杂类型不同，所述超结柱4、所述body区5、所述孔掺杂区6与所述间隔掺杂注入区10的掺杂类型相同；同一个body区5中的所述孔掺杂区6与所述源掺杂区7均从所述外延层3上表面的第一边缘延伸至第二边缘，所述孔掺杂区6与所述源掺杂区7的接触表面均呈弓字形，分别包括交替排列的凸出部和凹进部，其中，所述孔掺杂区6的凸出部与所述源掺杂区7的凹进部相互嵌套，所述孔掺杂区6的凹进部与所述源掺杂区7的凸出部相互嵌套；所述孔掺杂区6和所述源掺杂区7的深度均小于所述body区5的深度，使得所述孔掺杂区6和所述源掺杂区7未与下方的超结柱4接触；所述栅氧化层8包括第一部分、第二部分和至少一个连接部分，其中，所述第一部分和所述第二部分相互平行且均从所述外延层3上表面的第一边缘延伸至第二边缘，所述连接部分连接在所述第一部分和所述第二部分之间，所述间隔掺杂注入区10设置在所述第一部分和所述第二部分之间未被所述连接部分覆盖的所述外延层3的上表面；当所述栅氧化层8包括多个连接部分时，所述多个连接部分在所述第一部分与所述第二部分之间间隔设置，并且每个连接部分均连接所述第一部分和所述第二部分；当所述栅氧化层8包括多个连接部分时，所述间隔掺杂注入区10还设置在相邻两个连接部分之间，并且，不与每个连接部分的下表面接触。

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