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龙图腾网恭喜灿芯半导体(上海)股份有限公司申请的专利一种掉电复位的电平转换电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119483583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510052159.6，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种掉电复位的电平转换电路是由倪灿灿;岳庆华;庄志青设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掉电复位的电平转换电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掉电复位的电平转换电路，属于电平转换电路技术领域，该电平转换电路包括PMOS管P1~P8、NMOS管N1~N5、电阻R1、输入端IN和输出端OUT；在数字电源DVDD掉电后，net1线和net2线为低电平，net3线原本处于高阻态，由于PMOS管P7和电阻R1的弱上拉，net3线电荷会逐渐被充到高电平，最终OUT输出低电平；且NMOS管N4管此时是关断状态，net3线无通路，不消耗功耗；在正常工作的时候，当IN输入高电平，net2线是高电平时，PMOS管P6关断，PMOS管P7与电阻R1没有放电通路，不会有功耗；而当IN输入为低电平，NMOS管N4此时也是关断状态，PMOS管P7与电阻R1也没有放电通路，因此不会消耗功耗；这避免了常规弱下拉电路在工作时候消耗一定功耗。

本发明授权一种掉电复位的电平转换电路在权利要求书中公布了：1.一种掉电复位的电平转换电路，其特征在于，该电平转换电路包括PMOS管P1~P8、NMOS管N1~N5、电阻R1、输入端IN和输出端OUT；其中，输入端IN连接PMOS管P1和NMOS管N1的栅极；PMOS管P1和NMOS管N1的漏极相连接，并同时连接PMOS管P2、NMOS管N2、PMOS管P4和NMOS管N3的栅极；PMOS管P2和NMOS管N2的漏极相连接，并同时接PMOS管P6和NMOS管N4的栅极；PMOS管P1、P2的源极和衬底连接数字电源DVDD；PMOS管P4和NMOS管N3的漏极与PMOS管P5的栅极相连接；PMOS管P6和NMOS管N4的漏极与PMOS管P3、PMOS管P8、NMOS管N5的栅极相连接；PMOS管P3的漏极和PMOS管P4的源极相连接；PMOS管P5的漏极和PMOS管P6的源极与电阻R1的一端相连接；电阻R1另一端连接PMOS管P7的栅极和漏极，而PMOS管P8漏极和NMOS管N5的漏极接输出端OUT；PMOS管P3、P5、P7、P8的源极和衬底均接模拟电源AVDD；PMOS管P4和PMOS管P6的衬底均接模拟电源AVDD；NMOS管N1、N2、N3、N4、N5的源极和衬底均接GND。

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