恭喜上海拜安传感技术有限公司;上海拜安半导体有限公司钟少龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海拜安传感技术有限公司;上海拜安半导体有限公司申请的专利一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片、传感器及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119395326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510005267.8,技术领域涉及:G01P15/03;该发明授权一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片、传感器及其制造方法是由钟少龙;郭智慧;龙亮;周伟;郭凉杰设计研发完成,并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片、传感器及其制造方法在说明书摘要公布了:一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片、传感器及其制造方法,包括第一基底、第二基底和第三基底,在所述第一基底上加工形成光纤安装座和通光孔,在所述第二基底上加工有梁结构和惯性质量块,所述第一基底、第二基底和第三基底均采用双抛超平硅片,在所述光纤安装座上固定有单模光纤组件,所述单模光纤组件的端面采用精密研磨并与光纤纤芯的轴向垂直,利用所述惯性质量块朝向通光孔的一侧端面形成第一腔镜,所述单模光纤组件的端面形成第二腔镜,第一腔镜和所述第二腔镜构成F‑P干涉腔,第一基底、第二基底和第三基底采用硅‑硅键合工艺实现连接。
本发明授权一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片、传感器及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片,包括第一基底、第二基底和第三基底,在所述第一基底上加工形成光纤安装座和通光孔;其特征在于,在所述第二基底上加工有梁结构和惯性质量块,所述第一基底、第二基底和第三基底均采用双抛超平硅片,在所述光纤安装座上固定有单模光纤组件,所述单模光纤组件的端面采用精密研磨并与光纤纤芯的轴向垂直,利用所述惯性质量块朝向通光孔的一侧端面形成第一腔镜,所述单模光纤组件的端面形成第二腔镜,所述第一腔镜和所述第二腔镜构成F-P干涉腔,所述第一基底、第二基底和第三基底采用硅-硅键合工艺实现连接;所述第二基底的上表面和下表面均为天然面;在所述第三基底背离所述第二基底的一侧,贯通所述第三基底设置有散光孔,在所述第二基底对应于所述散光孔的位置设置有光学增透膜;所述光学增透膜在所述第一基底、第二基底和第三基底进行硅-硅晶圆键合后;利用所述第三基底的散光孔作为硬掩膜,在所述第二基底的下表面上对应与所述散光孔的位置形成光学增透膜。
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